项目所在地：湖南省湘潭市高新区双拥路9号创新创业园C区10栋4楼
主要建设内容：湖南正芯微电子探测器有限公司投资1428.57万元，租赁湘潭市高新区双拥路9号创新创业园C区10栋4楼建设超纯高阻硅特种芯片实验室项目，研发规模为年研制24片超纯高阻硅X光探测器项目。项目占地面积为700m2，主要建设实验室、办公室、会议室、气源储存室、化学品存储室及公用辅助工程等。项目主要原材料为超纯高阻硅晶片、超高纯氧气、超高纯氮气、三氯乙酸(TCA)、光刻胶、显影液、剥离液、硫酸、氢氟酸、双氧水、铝腐蚀液、活性炭等，主要设备包括氧化炉、双面曝光机、甩干机、加热台、匀胶机、刻蚀柜、烘箱、磁控溅射仪、快速退火炉、晶相显微镜、去离子纯水系统等，生产工艺包括氧化、匀胶、光刻、显影、刻蚀、纯水清洗、离子注入、剥离液清洗、强酸清洗、氮气冲洗甩干、氧化炉退火、镀铝、检验、密封保存、制作探测器（外委）等
项目简介：
湖南正芯微电子探测器有限公司投资1428.57万元，租赁湘潭市高新区双拥路9号创新创业园C区10栋4楼建设超纯高阻硅特种芯片实验室项目，研发规模为年研制24片超纯高阻硅X光探测器项目。项目占地面积为700m2，主要建设实验室、办公室、会议室、气源储存室、化学品存储室及公用辅助工程等。项目主要原材料为超纯高阻硅晶片、超高纯氧气、超高纯氮气、三氯乙酸(TCA)、光刻胶、显影液、剥离液、硫酸、氢氟酸、双氧水、铝腐蚀液、活性炭等，主要设备包括氧化炉、双面曝光机、甩干机、加热台、匀胶机、刻蚀柜、烘箱、磁控溅射仪、快速退火炉、晶相显微镜、去离子纯水系统等，生产工艺包括氧化、匀胶、光刻、显影、刻蚀、纯水清洗、离子注入、剥离液清洗、强酸清洗、氮气冲洗甩干、氧化炉退火、镀铝、检验、密封保存、制作探测器（外委）等
企业性质：股份制   申报方式：审批制   审批机关：湘潭环保局