晶体管是一种用于放大或切换电子信号和电力的半导体器件。晶体管是现代电子学的基本构件之一。它由半导体材料组成,通常至少有三个端子用于连接外部电路。在晶体管的一对端子上施加电压或电流,控制通过另一对端子的电流。由于受控(输出)功率可以高于控制(输入)功率,晶体管可以放大信号。今天,一些晶体管被单独包装,但更多的是被嵌入集成电路中。
奥匈帝国的物理学家在1926年提出了场效应晶体管的概念,但当时不可能实际建造一个工作装置。 初个建造的工作装置是美国物理学家于1947年在贝尔实验室工作时发明的一个点接触晶体管。较广泛使用的晶体管类型是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它是由穆罕默德-阿塔拉和达文-卡恩于1959年在贝尔实验室发明的。
大多数晶体管由非常纯净的硅制成,有些由锗制成,但有时也使用某些其他半导体材料。在场效应晶体管中,一个晶体管可能只有一种电荷载体,或者在双极结晶体管装置中可能有两种电荷载体。与真空管相比,晶体管通常更小,需要更少的功率来操作。在非常高的工作频率或高工作电压下,某些真空管比晶体管有优势。许多类型的晶体管是由多个制造商按照标准化的规格制造的。
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